SI4435DYTR - MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

SI4435DYTR

Número interno de parte

ABC-SI4435DYTR

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

101296 Pieces

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Especificaciones para SI4435DYTR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI4435DYTR

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2320pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI4435DYTR

Hojas de datos : SI4435DYTR.pdf

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