IXFT12N100 - MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Número de pieza del fabricante

IXFT12N100

Número interno de parte

ABC-IXFT12N100

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59778 Pieces

Precio de referencia

~~USD 7.039335~~

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Especificaciones para IXFT12N100

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFT12N100

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Serie : HiPerFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4000pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-268

Paquete / Caja : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFT12N100

Hojas de datos : IXFT12N100.pdf

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