FDD18N20LZ - MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Número de pieza del fabricante

FDD18N20LZ

Número interno de parte

ABC-FDD18N20LZ

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

832006 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDD18N20LZ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDD18N20LZ

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Serie : UniFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1575pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 89W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDD , FDD18

Documentos para FDD18N20LZ

Hojas de datos : FDD18N20LZ.pdf

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