SQJB60EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Número de pieza del fabricante

SQJB60EP-T1_GE3

Número interno de parte

ABC-SQJB60EP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1151346 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SQJB60EP-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQJB60EP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1600pF @ 25V

Potencia - max : 48W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SQJB6 , SQJB60E

Documentos para SQJB60EP-T1_GE3

Hojas de datos : SQJB60EP-T1_GE3.pdf

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