DMG8601UFG-7 - MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Número de pieza del fabricante

DMG8601UFG-7

Número interno de parte

ABC-DMG8601UFG-7

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3071593 Pieces

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Especificaciones para DMG8601UFG-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMG8601UFG-7

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 143pF @ 10V

Potencia - max : 920mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerUDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : U-DFN3030-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMG8601UFG-7

Hojas de datos : DMG8601UFG-7.pdf

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