BVSS123LT1G - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Número de pieza del fabricante

BVSS123LT1G

Número interno de parte

ABC-BVSS123LT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6975479 Pieces

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Especificaciones para BVSS123LT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BVSS123LT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 170mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 20pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 225mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BVSS123LT1G

Hojas de datos : BVSS123LT1G.pdf

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