CSD13302WT - MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Número de pieza del fabricante

CSD13302WT

Número interno de parte

ABC-CSD13302WT

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4493125 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CSD13302WT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD13302WT

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 862pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-DSBGA (1x1)

Paquete / Caja : 4-UFBGA, DSBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : CSD13302WT.pdf

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