BAS19-HE3-18 - DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Número de pieza del fabricante

BAS19-HE3-18

Número interno de parte

ABC-BAS19-HE3-18

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

20192781 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para BAS19-HE3-18

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BAS19-HE3-18

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 200mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.25V @ 200mA

Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 50ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BAS19-HE3-18

Hojas de datos : BAS19-HE3-18.pdf

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