STU11N65M2 - MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

Número de pieza del fabricante

STU11N65M2

Número interno de parte

ABC-STU11N65M2

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

273903 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.195~~

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Especificaciones para STU11N65M2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STU11N65M2

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

Serie : MDmesh™ II Plus

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 410pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 85W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : IPAK (TO-251)

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STU11N65M2

Hojas de datos : STU11N65M2.pdf

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