PHD63NQ03LT,118 - MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

Número de pieza del fabricante

PHD63NQ03LT,118

Número interno de parte

ABC-PHD63NQ03LT,118

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

44993 Pieces

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Especificaciones para PHD63NQ03LT,118

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PHD63NQ03LT,118

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 68.9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 920pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 111W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PHD63 , PHD63NQ

Documentos para PHD63NQ03LT,118

Hojas de datos : PHD63NQ03LT,118.pdf

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