NVF6P02T3G - MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Número de pieza del fabricante

NVF6P02T3G

Número interno de parte

ABC-NVF6P02T3G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1405271 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NVF6P02T3G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVF6P02T3G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1200pF @ 16V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 8.3W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223 (TO-261)

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVF , NVF6P

Documentos para NVF6P02T3G

Hojas de datos : NVF6P02T3G.pdf

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