BUZ30AHXKSA1 - MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Número de pieza del fabricante

BUZ30AHXKSA1

Número interno de parte

ABC-BUZ30AHXKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

271628 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.205~~

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Especificaciones para BUZ30AHXKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BUZ30AHXKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BUZ3 , BUZ30A

Documentos para BUZ30AHXKSA1

Hojas de datos : BUZ30AHXKSA1.pdf

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