C3M0065100J - MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Número de pieza del fabricante

C3M0065100J

Número interno de parte

ABC-C3M0065100J

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

65898 Pieces

Precio de referencia

~~USD 6.385~~

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Especificaciones para C3M0065100J

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : C3M0065100J

Fabricante : Cree/Wolfspeed

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Serie : C3M™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V

Vgs (Max) : +15V, -4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 660pF @ 600V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 113.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK-7

Paquete / Caja : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : C3M , C3M00

Documentos para C3M0065100J

Hojas de datos : C3M0065100J.pdf

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