FCP110N65F - MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Número de pieza del fabricante

FCP110N65F

Número interno de parte

ABC-FCP110N65F

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

140360 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.665~~

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Especificaciones para FCP110N65F

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FCP110N65F

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Serie : FRFET®, SuperFET® II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 3.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4895pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 357W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FCP , FCP11

Documentos para FCP110N65F

Hojas de datos : FCP110N65F.pdf

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