ES1BL R3G - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Número de pieza del fabricante

ES1BL R3G

Número interno de parte

ABC-ES1BL R3G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6012027 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.054445~~

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Especificaciones para ES1BL R3G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ES1BL R3G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 950mV @ 1A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 35ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-219AB

Paquete del dispositivo del proveedor : Sub SMA

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para ES1BL R3G

Hojas de datos : ES1BL R3G.pdf

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