1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Número de pieza del fabricante

1N5809US

Número interno de parte

ABC-1N5809US

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

74475 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.65~~

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Especificaciones para 1N5809US

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N5809US

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 875mV @ 4A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 30ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SQ-MELF, B

Paquete del dispositivo del proveedor : B, SQ-MELF

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N5809US

Hojas de datos : 1N5809US.pdf

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