EPC2105 - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Número de pieza del fabricante

EPC2105

Número interno de parte

ABC-EPC2105

Fabricante

EPC

Breve descripción

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

154208 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.42575~~

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Especificaciones para EPC2105

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EPC2105

Fabricante : EPC

Descripción : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Serie : eGaN®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

Potencia - max : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : Die

Paquete del dispositivo del proveedor : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EP , EPC

Documentos para EPC2105

Hojas de datos : EPC2105.pdf

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