BYWB29-200HE3/81 - DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Número de pieza del fabricante

BYWB29-200HE3/81

Número interno de parte

ABC-BYWB29-200HE3/81

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

731766 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.4473~~

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Especificaciones para BYWB29-200HE3/81

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BYWB29-200HE3/81

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 200V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.3V @ 20A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 25ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 200V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BYWB29-200HE3/81

Hojas de datos : BYWB29-200HE3/81.pdf

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