MURTA600120R - DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Número de pieza del fabricante

MURTA600120R

Número interno de parte

ABC-MURTA600120R

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

34221 Pieces

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Especificaciones para MURTA600120R

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MURTA600120R

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Configuración de diodo : 1 Pair Common Anode

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V

Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) : 300A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 2.6V @ 300A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 25µA @ 1200V

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Three Tower

Paquete del dispositivo del proveedor : Three Tower

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MURT , MURTA6

Documentos para MURTA600120R

Hojas de datos : MURTA600120R.pdf

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