TSM1N80CW RPG - MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Número de pieza del fabricante

TSM1N80CW RPG

Número interno de parte

ABC-TSM1N80CW RPG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2929864 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TSM1N80CW RPG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM1N80CW RPG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 300mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.6 Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 200pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : TSM1N80CW RPG.pdf

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