DMP1012UCB9-7 - MOSFET P-CH 8V 10A

Número de pieza del fabricante

DMP1012UCB9-7

Número interno de parte

ABC-DMP1012UCB9-7

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET P-CH 8V 10A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1841945 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.177705~~

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Especificaciones para DMP1012UCB9-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMP1012UCB9-7

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET P-CH 8V 10A

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -6V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1060pF @ 4V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 890mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : U-WLB1515-9

Paquete / Caja : 9-UFBGA, WLBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMP1012UCB9-7

Hojas de datos : DMP1012UCB9-7.pdf

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