IPT012N06NATMA1 - MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

Número de pieza del fabricante

IPT012N06NATMA1

Número interno de parte

ABC-IPT012N06NATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

225127 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IPT012N06NATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPT012N06NATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 240A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 143µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9750pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 214W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-HSOF-8-1

Paquete / Caja : 8-PowerSFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPT01 , IPT012N

Documentos para IPT012N06NATMA1

Hojas de datos : IPT012N06NATMA1.pdf

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