IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Número de pieza del fabricante

IPD180N10N3GBTMA1

Número interno de parte

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1416982 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.231~~

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Especificaciones para IPD180N10N3GBTMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPD180N10N3GBTMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 43A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1800pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 71W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO252-3

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPD180N10N3GBTMA1

Hojas de datos : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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