IDB10S60C - DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Número de pieza del fabricante

IDB10S60C

Número interno de parte

ABC-IDB10S60C

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

36512 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IDB10S60C

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IDB10S60C

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Serie : CoolSiC™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 10A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 10A

Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 140µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 480pF @ 1V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IDB10S60C

Hojas de datos : IDB10S60C.pdf

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