SIDC23D120H6X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Número de pieza del fabricante

SIDC23D120H6X1SA1

Número interno de parte

ABC-SIDC23D120H6X1SA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

34170 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SIDC23D120H6X1SA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIDC23D120H6X1SA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Serie : -

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 1200V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 35A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.6V @ 35A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 27µA @ 1200V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : Die

Paquete del dispositivo del proveedor : Sawn on foil

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIDC2 , SIDC23D1

Documentos para SIDC23D120H6X1SA1

Hojas de datos : SIDC23D120H6X1SA1.pdf

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