ES3DBHR5G - DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Número de pieza del fabricante

ES3DBHR5G

Número interno de parte

ABC-ES3DBHR5G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2775584 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.11793~~

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Especificaciones para ES3DBHR5G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ES3DBHR5G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 200V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 3A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 35ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 200V

Capacitancia a Vr, F : 46pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-214AA, SMB

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AA (SMB)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : ES3DBHR5G.pdf

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