NTJS3151PT1G - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Número de pieza del fabricante

NTJS3151PT1G

Número interno de parte

ABC-NTJS3151PT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5788237 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NTJS3151PT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTJS3151PT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 850pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 625mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-88/SC70-6/SOT-363

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : NTJS3151PT1G.pdf

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