IRF9Z24NLPBF - MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

Número de pieza del fabricante

IRF9Z24NLPBF

Número interno de parte

ABC-IRF9Z24NLPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

108608 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRF9Z24NLPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF9Z24NLPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF9 , IRF9Z2

Documentos para IRF9Z24NLPBF

Hojas de datos : IRF9Z24NLPBF.pdf

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