SPP02N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Número de pieza del fabricante

SPP02N60C3HKSA1

Número interno de parte

ABC-SPP02N60C3HKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

105432 Pieces

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Especificaciones para SPP02N60C3HKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SPP02N60C3HKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Serie : CoolMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 200pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO220-3-1

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SPP02 , SPP02N6

Documentos para SPP02N60C3HKSA1

Hojas de datos : SPP02N60C3HKSA1.pdf

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