SI5999EDU-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Número de pieza del fabricante

SI5999EDU-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI5999EDU-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52442 Pieces

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Especificaciones para SI5999EDU-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI5999EDU-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 496pF @ 10V

Potencia - max : 10.4W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® ChipFet Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI599 , SI5999ED

Documentos para SI5999EDU-T1-GE3

Hojas de datos : SI5999EDU-T1-GE3.pdf

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