SI7998DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Número de pieza del fabricante

SI7998DP-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI7998DP-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

867769 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI7998DP-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI7998DP-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 25A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1100pF @ 15V

Potencia - max : 22W, 40W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI7998DP-T1-GE3

Hojas de datos : SI7998DP-T1-GE3.pdf

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