PSMN069-100YS,115 - MOSFET N-CH LFPAK

Número de pieza del fabricante

PSMN069-100YS,115

Número interno de parte

ABC-PSMN069-100YS,115

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH LFPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2187990 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.1496~~

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Especificaciones para PSMN069-100YS,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PSMN069-100YS,115

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH LFPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 17A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72.4 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 645pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 56W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8

Paquete / Caja : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PSMN069-100YS,115

Hojas de datos : PSMN069-100YS,115.pdf

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