S4PJHM3_A/I - DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

Número de pieza del fabricante

S4PJHM3_A/I

Número interno de parte

ABC-S4PJHM3_A/I

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3247265 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.1008~~

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Especificaciones para S4PJHM3_A/I

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : S4PJHM3_A/I

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 4A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 4A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 2.5µs

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-277, 3-PowerDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-277A (SMPC)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : S4P , S4PJH

Documentos para S4PJHM3_A/I

Hojas de datos : S4PJHM3_A/I.pdf

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