FQPF9N25CYDTU - MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
699860 Pieces
Precio de referencia
USD 0.467695
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Especificaciones para FQPF9N25CYDTU

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FQPF9N25CYDTU
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Serie : QFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 710pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : FQPF , FQPF9N

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Hojas de datos : FQPF9N25CYDTU.pdf

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