CDBJFSC5650-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Número de pieza del fabricante

CDBJFSC5650-G

Número interno de parte

ABC-CDBJFSC5650-G

Fabricante

Comchip Technology

Breve descripción

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

239792 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.56~~

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Especificaciones para CDBJFSC5650-G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CDBJFSC5650-G

Fabricante : Comchip Technology

Descripción : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 5A (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 5A

Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 650V

Capacitancia a Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : TO-220-2 Full Pack

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220F

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CDBJFSC5650-G

Hojas de datos : CDBJFSC5650-G.pdf

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