TSM052N06PQ56 RLG - MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Número de pieza del fabricante

TSM052N06PQ56 RLG

Número interno de parte

ABC-TSM052N06PQ56 RLG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

40365 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TSM052N06PQ56 RLG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM052N06PQ56 RLG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3686pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 83W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (5x6)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : TSM052N06PQ56 RLG.pdf

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