TK4A60DB(STA4,Q,M) - MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Número de pieza del fabricante

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Número interno de parte

ABC-TK4A60DB(STA4,Q,M)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

51072 Pieces

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Especificaciones para TK4A60DB(STA4,Q,M)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK4A60DB(STA4,Q,M)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Serie : π-MOSVII

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.7A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 540pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 35W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220SIS

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : TK4A60DB(STA4,Q,M).pdf

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