2N7635-GA - TRANS SJT 650V 4A TO-257

Número de pieza del fabricante

2N7635-GA

Número interno de parte

ABC-2N7635-GA

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 650V 4A TO-257

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

78525 Pieces

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Especificaciones para 2N7635-GA

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2N7635-GA

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 650V 4A TO-257

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 324pF @ 35V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 47W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-257

Paquete / Caja : TO-257-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 2N7635-GA

Hojas de datos : 2N7635-GA.pdf

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