IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

Número de pieza del fabricante

IXTY1R4N120PHV

Número interno de parte

ABC-IXTY1R4N120PHV

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

290948 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.125~~

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Especificaciones para IXTY1R4N120PHV

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXTY1R4N120PHV

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH

Serie : Polar™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.4A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 666pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 86W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IXTY , IXTY1R4

Documentos para IXTY1R4N120PHV

Hojas de datos : IXTY1R4N120PHV.pdf

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