PMN35EN,115 - MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

Número de pieza del fabricante

PMN35EN,115

Número interno de parte

ABC-PMN35EN,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

45825 Pieces

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Especificaciones para PMN35EN,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMN35EN,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 334pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP

Paquete / Caja : SC-74, SOT-457

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMN , PMN35

Documentos para PMN35EN,115

Hojas de datos : PMN35EN,115.pdf

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