IPI041N12N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Número de pieza del fabricante

IPI041N12N3GAKSA1

Número interno de parte

ABC-IPI041N12N3GAKSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

217904 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.71671~~

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Especificaciones para IPI041N12N3GAKSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPI041N12N3GAKSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 120V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 211nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 13800pF @ 60V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO262-3

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IPI041N12N3GAKSA1

Hojas de datos : IPI041N12N3GAKSA1.pdf

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