MT40A1G8WE-083E AUT:B - IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Número de pieza del fabricante

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Número interno de parte

ABC-MT40A1G8WE-083E AUT:B

Fabricante

Micron Technology Inc.

Breve descripción

IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

105448 Pieces

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Especificaciones para MT40A1G8WE-083E AUT:B

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MT40A1G8WE-083E AUT:B

Fabricante : Micron Technology Inc.

Descripción : IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR4

Tamaño de la memoria : 8Gb (1G x 8)

Frecuencia de reloj : 1.2GHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -

Tiempo de acceso : -

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.26V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 125°C (TC)

Tipo de montaje : -

Paquete / Caja : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MT40A1G , MT40A1G8WE

Documentos para MT40A1G8WE-083E AUT:B

Hojas de datos : MT40A1G8WE-083E AUT:B.pdf

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