NTMS10P02R2G - MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

NTMS10P02R2G

Número interno de parte

ABC-NTMS10P02R2G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

914578 Pieces

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Especificaciones para NTMS10P02R2G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTMS10P02R2G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3640pF @ 16V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NTMS , NTMS10

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Hojas de datos : NTMS10P02R2G.pdf

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