BSM080D12P2C008 - SIC POWER MODULE-1200V-80A

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59222 Pieces
Precio de referencia
USD 154.055
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Especificaciones para BSM080D12P2C008

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BSM080D12P2C008
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : SIC POWER MODULE-1200V-80A
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 13.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 800pF @ 10V
Potencia - max : 600W
Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Module
Paquete del dispositivo del proveedor : Module
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : BSM08 , BSM080D

Documentos para BSM080D12P2C008

Hojas de datos : BSM080D12P2C008.pdf

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