IRFSL3607PBF - MOSFET N-CH 75V 80A TO-262

Número de pieza del fabricante

IRFSL3607PBF

Número interno de parte

ABC-IRFSL3607PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 75V 80A TO-262

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

374080 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.875~~

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Especificaciones para IRFSL3607PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFSL3607PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 75V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3070pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 140W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRFSL3607PBF

Hojas de datos : IRFSL3607PBF.pdf

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