FDMS3669S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

Número de pieza del fabricante

FDMS3669S

Número interno de parte

ABC-FDMS3669S

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2052190 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDMS3669S

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDMS3669S

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1605pF @ 15V

Potencia - max : 1W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : Power56

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDMS3669S

Hojas de datos : FDMS3669S.pdf

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