SQJ500AEP-T1_GE3 - MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Número de pieza del fabricante

SQJ500AEP-T1_GE3

Número interno de parte

ABC-SQJ500AEP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

935487 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SQJ500AEP-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQJ500AEP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : -

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 38.1nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1850pF @ 20V

Potencia - max : 48W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SQJ500AEP-T1_GE3

Hojas de datos : SQJ500AEP-T1_GE3.pdf

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