FDD2612 - MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Número de pieza del fabricante

FDD2612

Número interno de parte

ABC-FDD2612

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

110688 Pieces

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Especificaciones para FDD2612

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDD2612

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 720 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 234pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 42W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDD2612

Hojas de datos : FDD2612.pdf

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