RJK1001DPP-E0#T2 - MOSFET N-CH 100V 80A TO220

Número de pieza del fabricante

RJK1001DPP-E0#T2

Número interno de parte

ABC-RJK1001DPP-E0#T2

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 80A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

68832 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RJK1001DPP-E0#T2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RJK1001DPP-E0#T2

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH 100V 80A TO220

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 147nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10000pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 30W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220FP

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RJK1001DPP-E0#T2

Hojas de datos : RJK1001DPP-E0#T2.pdf

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