IXFQ12N80P - MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Número de pieza del fabricante

IXFQ12N80P

Número interno de parte

ABC-IXFQ12N80P

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

213144 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.755~~

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Especificaciones para IXFQ12N80P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IXFQ12N80P

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

Serie : HiPerFET™, PolarHT™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2800pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 360W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P

Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IXFQ12N80P

Hojas de datos : IXFQ12N80P.pdf

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